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bq4014/bq4014Y
Power-Down/Power-Up Cycle (TA = 0 to 70°C)
Symbol
t PF
t FS
t PU
Parameter
V CC slew, 4.75 to 4.25 V
V CC slew, 4.25 to V SO
V CC slew, V SO to V PFD (max.)
Minimum
300
10
0
Typical
-
-
-
Maximum
-
-
-
Unit
μ s
μ s
μ s
Conditions
Time during which
t CER
Chip enable recovery time
40
80
120
ms
SRAM is write-protected
after V CC passes V PFD on
power-up.
t DR
t WPT
Data-retention time in
absence of V CC
Write-protect time
10
40
-
100
-
150
years
μ s
T A = 25°C. (2)
Delay after V CC slews
down past V PFD before
SRAM is write-protected.
Notes:
1. Typical values indicate operation at T A = 25°C, V CC = 5V.
2. Batteries are disconnected from circuit until after V CC is applied for the first time. t DR is the
accumulated time in absence of power beginning when power is first applied to the device.
Caution: Negative undershoots below the absolute maximum rating of -0.3V in battery-backup mode
may affect data integrity.
Power-Down/Power-Up Timing
Sept. 1992
8
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